首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5584篇
  免费   717篇
  国内免费   503篇
化学   618篇
晶体学   28篇
力学   888篇
综合类   81篇
数学   3341篇
物理学   1848篇
  2024年   30篇
  2023年   59篇
  2022年   88篇
  2021年   113篇
  2020年   159篇
  2019年   158篇
  2018年   188篇
  2017年   173篇
  2016年   187篇
  2015年   167篇
  2014年   287篇
  2013年   440篇
  2012年   261篇
  2011年   334篇
  2010年   296篇
  2009年   327篇
  2008年   325篇
  2007年   343篇
  2006年   326篇
  2005年   284篇
  2004年   208篇
  2003年   242篇
  2002年   204篇
  2001年   176篇
  2000年   167篇
  1999年   167篇
  1998年   112篇
  1997年   137篇
  1996年   88篇
  1995年   83篇
  1994年   80篇
  1993年   75篇
  1992年   68篇
  1991年   64篇
  1990年   41篇
  1989年   31篇
  1988年   28篇
  1987年   27篇
  1986年   26篇
  1985年   33篇
  1984年   33篇
  1983年   16篇
  1982年   29篇
  1981年   18篇
  1980年   21篇
  1979年   26篇
  1978年   9篇
  1977年   10篇
  1976年   16篇
  1974年   9篇
排序方式: 共有6804条查询结果,搜索用时 25 毫秒
1.
从头发的结构和组成出发分析头发形状和颜色改变的可能性,剖析烫发、染发的化学原理,阐释先烫发后染发的本质原因,从化学视角辨证地看待烫发、染发的利弊。  相似文献   
2.
3.
晶体硅表面钝化是高效率晶体硅太阳能电池的核心技术,直接影响晶体硅器件的性能。本文采用第一性原理方法研究了一种超强酸-双三氟甲基磺酰亚胺(TFSI)钝化晶体硅(001)表面。研究发现,TFSI的四氧原子结构能够与Si(001)表面Si原子有效成键,吸附能达到-5.124 eV。电子局域函数研究表明,TFSI的O原子与晶体硅表面的Si的成键类型为金属键。由态密度和电荷差分密度分析可知,Si表面原子的电子向TFSI转移,从而有效降低了Si表面的电子复合中心,有利于提高晶体硅的少子寿命。Bader电荷显示,伴随着TFSI钝化晶体硅表面的Si原子,表面Si原子电荷电量减少,而TFSI中的O原子和S原子电荷电量相应增加,进一步证明了TFSI钝化Si表面后的电子转移。该工作为第一性原理方法预测有机强酸钝化晶体硅表面的钝化效果提供了数据支撑。  相似文献   
4.
大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport, PVT)法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。获得大尺寸高品质晶体的核心是通过调节组分、温度、压力实现气相组分在晶体生长界面均匀定向结晶,同时尽可能减小晶体的热应力。本文对电阻加热式8英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅大尺寸晶体生长系统展开热场设计研究。首先建立描述碳化硅原料受热分解热质输运及其多孔结构演变、系统热输运的物理和数学模型,进而使用数值模拟方法研究加热器位置、加热器功率和辐射孔径对温度分布的影响及其规律,并优化热场结构。数值模拟结果显示,通过优化散热孔形状、保温棉的结构等设计参数,电阻加热式大尺寸晶体生长系统在晶锭厚度变化、多孔介质原料消耗的情况下均能达到较低的晶体横向温度梯度和较高的纵向温度梯度。  相似文献   
5.
6.
This paper studies the asymptotic behavior of coexistence steady-states of the Shigesada-Kawasaki-Teramoto model as both cross-diffusion coefficients tend to infinity at the same rate. In the case when either one of two cross-diffusion coefficients tends to infinity, Lou and Ni [18] derived a couple of limiting systems, which characterize the asymptotic behavior of coexistence steady-states. Recently, a formal observation by Kan-on [10] implied the existence of a limiting system including the nonstationary problem as both cross-diffusion coefficients tend to infinity at the same rate. This paper gives a rigorous proof of his observation as far as the stationary problem. As a key ingredient of the proof, we establish a uniform L estimate for all steady-states. Thanks to this a priori estimate, we show that the asymptotic profile of coexistence steady-states can be characterized by a solution of the limiting system.  相似文献   
7.
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对本征Zn2GeO4,Mn2+掺杂Zn2GeO4,Mn2+/N2-共掺杂Zn2GeO4超晶胞进行了几何结构优化,计算了掺杂前后体系的晶格常数、能带结构、态密度和光学性质。结果表明,Mn离子掺入后,Mn离子3d轨道与O离子2p轨道之间有强烈的轨道杂化效应,掺杂系统不稳定,而Mn/N离子共掺后,Mn离子和N离子之间的吸引作用克服了Mn离子之间的排斥作用,能够明显地提高掺杂浓度和体系的稳定性。光学性质计算结果表明,Mn离子与N离子共掺杂能改善Zn2GeO4电子在低能区的光学跃迁特性,增强电子在可见光区的光学跃迁;吸收谱计算结果显示,Mn离子与N离子掺入后体系对低频电磁波吸收增加。  相似文献   
8.
Motivated by the well-established phase derivative embedded technique, this study devotes to sharper uncertainty principles related to the Lp-norm type of uncertainty product, giving rise to two kinds of uncertainty inequalities that improve the classical result through providing tighter lower bounds. The conditions that truly reach these better estimates are obtained. Examples and simulations are carried out to verify the correctness of the derived results, and finally, possible applications in time-frequency analysis are also given.  相似文献   
9.
张然  冉鸣 《化学教育》2020,41(15):39-43
电镀实验是电解原理应用的重要案例,通过实验不仅要获得定性的感性认知,还应该获得定量的理性数据。针对电镀铜实验,通过改变铜离子浓度、pH、电解时间、电解电压和电解温度等因素,探究其对镀层厚度、均匀性和致密性等性质的影响,在电解原理的基础上分析其形成机制,从而确定了电镀铜较适宜的操作条件,以此为学生开展电镀实验提供参考案例与研究思路。  相似文献   
10.
近来有些文章断言,在一个惯性参考系里能量守恒的物理系统,在别的参考系看来能量也一定守恒.实际上这些作者混淆了物理方程式的协变性和相对性原理.本文将澄清这一误解.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号